ZnO基磁性半导体和多铁性氧化物异质结构的外延制备与物性研究--。使人们对具有多功能特性的材料体系表现出极大的兴趣,比如磁性和半导体特性结合的磁。ZnO是第三代宽禁带半导体,Co掺杂ZnO的居里温度高于室温,是有潜力的磁性半导体材。
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关于宽禁带半导体ZnO调研的论文_问答个回答-提问时间：年月日答案：你去这个坛子上看看应该能找到的bbs.ic.cn
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wordZnO半导体的光致发光机理-豆丁网ZnO半导体的光致发光机理科学论坛ZnO半导体的光致发光机理[摘要]氧化锌(ZnO)晶体。用户管理和数据管理.现分别简述如下:通信调度平台的主要功能是保障警力指挥和出勤。
ZnO稀磁半导体的制备和磁、光性能研究-豆丁网半导体将展示许多新颖的功能,由此导致了该学科的出现。由于目前以电子电荷为基础的。在ZnO中通过磁性离子注入可以实现室温铁磁性[,],这一发现极大地鼓舞了人们在自旋。
ZnO半导体材料的形貌、微结构调控及其性能研究-中国博士学位。半导体纳米材料已经被广泛应用于催化、医学、光学及功能材料等领域。而在半导体纳。介绍了ZnO半导体纳米材料的晶体结构和基本性质,介绍了ZnO在形貌控制、溶剂热。
氧化锌薄膜的用途_龙力化工_新浪博客用途杂谈是重要的Ⅱ-Ⅳ族半导体氧化物,是继GaN之后可用于制作蓝光和紫外发光器件。氧化锌是一种宽禁带的n型半导体材料,具有优良的光电性质。其实光电性质与化学组成。
ZnO宽带隙半导体及其基本特性--《功能材料与器件学报》年期摘要:ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点。同时,作为一。徐毓龙,曹全喜,周晓华;金属氧化物半导体电阻型气敏传感器作用机理[J];传感技术学报。
ZnO宽带隙半导体及其基本特性-《功能材料与器件学报》年。功能材料与器件学报年第期在线阅读、文章下载。正引言ZnO属II-VI族宽禁带直接带隙化合物半导体材料,熔点为C,室温下禁带宽度为.eV,激子束缚能为。
ZNO半导体薄膜的制备及其掺杂特性的研究-豆丁网阅读文档页-上传时间:年月日半导体材料一样,如GaN、ZnSe,N型掺杂很好实现,而P型掺杂不好实现。原因是多方面的,ZnO薄膜中存在的本征缺陷(Zn,Vo)形成能非常低,可产生高度的自补偿作用,受主元素。
过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体铁磁特性研究进展-道客巴巴阅读文档积分-上传时间:年月日氧化锌可以做为通过d过渡金属阳离子(如Mn,Co,Fe等)掺杂获得磁性半导体的基体材料,掺杂易进行且杂质浓度高,掺杂后,阴阳离子之间的强相互作用是出现新的现象的来源。。
氧化锌半导体材料氧化锌是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料,具有优异的光学和电学特性。室温下其禁带宽度为.eV,这一特性使它具备了室温下短波长发光的有利条件;由。
硅衬底ZnO_GaN半导体材料生长及LED器件寿命研究-道客巴巴阅读文档积分-上传时间:年月日再把样品移入南昌大学南昌大学硕士学位论文硅衬底ZnO/GaN半导体材料生长及LED。小于自由状态下ZnO(.nm)晶体的C值。表明该薄膜在晶格失配和热失配作用下。
基于ZnO半导体纳米线膜的声表面波型紫外探测器-《功能材料与器件。作用,改变了声表面波的传播速度和损耗,采用声表面波型结构的ZnO紫外探测器具有高灵敏度和射频输出的显著优点。本文提出基于ZnO半导体纳米线膜的声表面波型紫外。
